400亿美元建设美国3nm芯片厂 台积电有苦说不出:成本高出5倍

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  原本只计划在美国建设5nm芯片厂的台积电在去年底态度大变,对美国的投资大增,而且先进工艺也要转移出去,计划投资400亿美元建设3nm芯片厂。

  据台积电所说,其亚利桑那州工厂将开始兴建第二期工程,预计于2026年开始生产3nm制程技术,该厂目前兴建中的第一期工程预计于2024年开始生产4nm制程技术(原计划是5nm),两期工程总投资金额约为400亿美元。

  台积电表示,除了帮助建设厂房地的1万多名建筑工人外,台积电亚利桑那州的两座晶圆厂预计将额外创造1万个高薪高科技工作岗位,其中包括4500个直接受雇于台积电的工作岗位。

  然而台积电选择美国建厂不是没有代价的,在日前的说法会上,台积电CEO魏哲家承认,美国直接建厂的厂房成本发是台积电的四五倍,这不仅要归咎于美国的通胀及各种人工成本,还有各种许可证的额外成本,包括环境影响评估等等。

  在美国建厂的成本原告于本土,但台积电表示将寻求各种方式来降低成本。


标签: 美国 芯片 台积电

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