佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机:性能大增

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  12月7日,日本佳能宣布将于2023年1月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品——i线步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option”。

  据了解,在半导体芯片的制造工艺中,光刻机负责“曝光”电路图案。在曝光的一系列工艺中,在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。

  保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响,并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。

  

佳能宣布发售新一代i线步进式光刻机:性能大增-第1张图片-趣闻屋


  佳能介绍,新款i线步进式光刻机通过0.8μm的高解像力和拼接曝光技术,使100 x 100mm的超大视场曝光成为可能,从而实现2.5D和3D技术相结合的超大型高密度布线封装的量产。

  和去年4月发售的前一代产品“FPA-5520iV LF Option”相比,新品能够将像差抑制至四分之一以下,视场尺寸也较52x68mm大幅增加。

  所谓i线也就是光源来自波长365nm的水银灯,和EUV光刻机使用的13.5nm波长激光等离子体光源区别明显。

  按照佳能的说法,除芯片精细化以外,封装的高密度布线也被认为是实现高性能的技术之一。可以预见,随着对更高性能半导体器件的先进封装需求的增加,后道工艺中的半导体光刻机市场将继续扩大。

  

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标签: 佳能 光刻机

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